本报告由深芯盟（SICA）发布，覆盖近百家国产半导体设备厂商，聚焦半导体前道设备、第三代半导体（SiC）设备两大板块，分析技术趋势、厂商竞争力，并对上市公司进行量化排名，为产业链自主可控提供参考。
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- 热处理设备：全球市场规模 2022 年约 30 亿美元，中国 2023 年约 90 亿元，2028 年预计超 200 亿元。国际市场由应用材料（46%）、TEL（21%）垄断，国产厂商屹唐半导体（5%）、北方华创（0.2%）实现突破。技术向激光退火发展，合肥本源量子、瑶光半导体等推出相关设备，可应用于量子芯片、28nm 及以下逻辑芯片制造。
- 薄膜沉积设备：2025 年全球市场预计 340 亿美元，中国 136 亿美元。PECVD 占比 33% 为主要类型，国际巨头应用材料、泛林、TEL 占 70% 份额。国产拓荆科技（PECVD/ALD）、北方华创（PVD）、微导纳米（ALD）加速追赶，ALD 技术因高精度优势在 3D NAND、FinFET 工艺中需求增长，但面临气体脉冲控制、原子层监测等技术痛点。
- 光刻设备：全球市场由 ASML（垄断 EUV）、佳能、尼康主导，ASML 2023 年销量 449 台。国内上海微电子可覆盖 90nm-280nm 工艺，2024 年《首台（套）目录》将 ArF 光刻机纳入，支持 65nm 以下分辨率。技术瓶颈集中在 EUV 光源、高精度光学系统与工件台，炬光科技（光场匀化器）、华卓精科（双工作台）等产业链企业逐步突破。
- 刻蚀设备：2024 年全球市场预计 238 亿美元，干法刻蚀占 90% 主流。国际厂商泛林、应用材料、TEL 主导，国产中微公司（CCP/ICP 刻蚀）、北方华创实现 28nm 及以上制程覆盖，中微 Primo UD-RIE 设备可刻蚀≥60:1 高深宽比结构，原子层刻蚀（ALE）成先进制程重要方向。
- 其他设备：清洗设备全球 CR3 达 70%（DNS 40%），国产盛美上海（SAPS 技术）、至纯科技覆盖 28nm 工艺；离子注入设备国产化率不足 10%，凯世通、思锐智能推出低能大束流 / 高能设备；量测与检测设备全球 KLA 市占 55.8%，国产中科飞测、精测电子覆盖 28nm 及以上，28nm 以下仍在研发。
上市公司 TOP10（综合实力 + 增长潜力加权指数）：北方华创（549.4）、拓荆科技（300.5）、中微公司（263.3）、盛美上海（237.3）、华海清科（233.2）、中科飞测（207.6）、至纯科技（172.9）、芯源微（166.6）、长川科技（145.3）、京仪装备（141.1）。北方华创以全品类布局居首，拓荆科技因薄膜沉积设备高增长获潜力榜首。
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- 长晶设备：主流采用 PVT 法，国内北方华创（累计装机超千台）、晶升股份、连城数控实现国产化，占国内市场超 50% 份额，可支持 6-8 英寸导电 / 半绝缘型 SiC 晶体生长，天科合达自研设备满足自身扩产并对外销售。
- 切磨抛设备：切割环节宇晶股份（多线切割机）、高测股份（金刚线切片机）、大族半导体（激光切片）突破传统技术痛点，材料损耗降低；研磨抛光环节迈为股份、晶亦精微（CMP 设备）覆盖 6-8 英寸，精磨环节仍依赖进口，特思迪、宇环数控加速研发。
- 外延与掺杂设备：外延设备中电 48 所（8 英寸设备厚度均匀性＜1.5%）、北方华创（近 200 台销量）领先；离子注入设备烁科中科信（高温机型国产化率第一）、凯世通（2024 年验证）攻克高温掺杂难题；退火设备屹唐半导体（快速热退火）、拉普拉斯（超高温炉）支持 1200℃以上工艺。
全球 SiC 功率器件市场 2028 年预计达 91.7 亿美元，中国设备需求随新能源汽车、光伏逆变器增长，2023 年外延设备市场约 1.81 亿美元，2028 年预计 4.24 亿美元。技术向大尺寸（8 英寸）、低缺陷密度发展，国产设备在长晶环节领先，切磨抛、外延仍需突破进口依赖。
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- 国产化进展：2023 年中国半导体设备国产化率 11.7%，2024 年预计升至 13.6%，北方华创跻身全球设备厂商前十，刻蚀、清洗、热处理设备实现 28nm 及以上量产，高端光刻、量测仍为短板。
- 驱动因素：AI 带动先进制程需求，台积电、中芯国际加大资本支出；政策支持首台（套）设备推广，海外市场拓展加速（如盛美上海获欧洲订单）。
- 挑战与方向：核心零部件（如射频电源、真空泵）依赖进口，先进制程设备验证周期长；未来需聚焦 EUV、原子层刻蚀、SiC 大尺寸工艺，强化产业链协同，推动设备与材料、工艺联动创新。
