该报告聚焦光刻机行业，涵盖技术演进、核心子系统、全球格局及国产替代进展，还提及相关产业链标的。

光刻是晶圆制造核心工序，价值量占半导体设备 24% 居首，其通过涂胶、曝光、显影将电路图案转印到硅片，分辨率是关键指标，遵循瑞利判据，可通过缩短光源波长（从汞灯到 DUV 再到 EUV）、提升数值孔径（浸没式技术突破至 1.35）、优化工艺因子（离轴照明、OPC 等）及升级曝光方式（步进扫描成主流）实现提升。

光刻机核心子系统为光源、光学、工作台。光源领域，Cymer（ASML 子公司）与 Gigaphoton 垄断市场，EUV 光源技术难度极高；光学系统中，蔡司供应 EUV 反射镜，技术壁垒显著，DUV 透镜复杂度攀升；工作台方面，ASML 双工件台提升产能，磁浮技术适配 EUV 需求。

全球格局上，ASML 凭 EUV 垄断高端市场，2024 年市占率 61.2%，Canon、Nikon 聚焦成熟 DUV 机型。ASML 通过技术创新（双工作台、浸没式、EUV）与产业链整合巩固地位。

国产替代方面，中国需求旺盛，2024 年成 ASML 最大客户，但光刻机国产化率不足 1%。受海外出口管制推动，叠加 “02 专项” 等政策支持，国内取得突破，如上海微电子推出 90nm ArF 光刻机，华卓精科突破双工件台，哈工大、中科院实现光源技术进展。

产业链标的中，茂莱光学、汇成真空、波长光电、福晶科技等企业，分别在光刻光学器件、掩模版镀膜设备、直写光刻镜头、光学晶体等领域布局，助力国产替代。